CVD（Chemical Vapor Deposition）即化學氣相沉積，是一種常用的薄膜生長技術。它通過在氣相條件下使化學反應發生，讓氣態前驅物沉積在固體表面上形成薄膜。而MOCVD（Metalorganic Chemical Vapor Deposition）即金屬有機化合物化學氣相沉積，是一種特殊類型的CVD技術，用于在基底表面生長金屬、合金或化合物的薄膜。在這兩種技術中，CVD，MOCVD專用氫氣發生器扮演著至關重要的角色。

CVD技術

CVD的基本原理是將所需的反應氣體和基底材料放置在封閉的反應室中，通過加熱或提供能量激活反應氣體。在適當的溫度和壓力下，反應氣體分解并與基底表面上的原子或分子發生化學反應，生成固態產物并沉積在基底表面上。通過控制反應氣體的組成、溫度、壓力和反應時間等參數，可以控制薄膜的化學成分、結構和厚度。

CVD技術具有淀積溫度低、薄膜成份易控、膜厚與淀積時間成正比、均勻性好、重復性好以及臺階覆蓋性優良等特點。它廣泛應用于制備各種簡單特性的薄膜，如單晶硅、多晶硅、二氧化硅等，以及復合材料如碳化硅和氮化硅等。此外，CVD還用于制備生物材料和植入物，如人工牙齒和骨骼等。

MOCVD技術

MOCVD技術是在高溫下將有機金屬化合物蒸汽與半導體襯底表面的金屬原子相互作用，形成半導體材料。其原理是利用金屬有機化合物作為反應前驅物，通過與氣體相混合并在合適的反應條件下，使金屬有機分子在基底表面發生化學反應和沉積，形成所需的薄膜。

MOCVD技術具有高度可控性、高效率、低成本等優點，被廣泛應用于LED、激光器、太陽能電池等領域。在LED領域中，MOCVD技術能夠制備出高亮度、高效率的LED器件。在激光器領域中，MOCVD技術可以制備出高質量的半導體材料，實現高功率、高效率的激光器器件。在太陽能電池領域中，MOCVD技術能夠制備出高效的太陽能電池材料，提高太陽能電池的光電轉換效率和光穩定性。

在CVD和MOCVD過程中，CVD，MOCVD專用氫氣發生器主要用于提供高純度、穩定的氫氣。氫氣在CVD和MOCVD反應中起到多種作用：

1.消除雜質：氫氣能夠消除反應過程中產生的氧化物、氮化物等雜質，提高薄膜的純度。氫氣與這些雜質反應，如氧化物反應生成水，從而去除反應產物和雜質。

2.作為還原劑：氫氣在反應中起到還原劑的作用，使反應中產生的金屬離子還原為金屬原子，從而促進反應的進行。

控制反應條件：氫氣發生器還可用于清洗反應室和傳遞氣體，以幫助調節反應條件，提高薄膜的均勻性和穩定性。通過控制氫氣流量，可以調節反應室內的氫氣濃度和反應速率。